PMOS剂量计的稳定性研究
在室温条件下,研究了辐照偏置、总剂量和剂量率对PMOS剂量计辐照剂量记录-阈值的稳定性影响,观察了辐照后阈值在不同栅偏下的变化趋势和幅度。分析认为慢界面陷阱中电荷的“充放电”是造成不稳定的首要原因。结果表明,该种由慢界面态造成的阈值变化在每次开机测量下具有重复性。讨论了在PMSO剂量计中提高稳定性的办法。
PMOS剂量计 阈值 稳定性
范隆 严荣良 张国强 任迪远
中国科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
国内会议
江苏扬州
中文
397~402
1999-05-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)