PMOS剂量计的剂量率效应

摘要：

在不同剂量率的<”60>Coγ辐照下，PMOS剂量计阈值电压的响应关系。借助快速I-V亚阈分析技术，获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献，结果表明：辐照响应有较明显的剂量效应，主要表现为响应的拟合关系式△V<,T>=KD<”n>中幂n的变化，在低剂量率区间内值较较大，对应于辐射响应高灵敏度范围；当剂量率增大时，n值减小，响应灵敏度下降。讨论了克服剂量率效应影响其应用的办法。

关键词： PMOS <”60>Co-γ辐照 剂量率

作者: 范隆 任迪远 郭旗 张国强

作者单位: 科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 258～261

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）