高压氧预处理诱导脊髓神经元氧化耐受作用研究
目的：研究高压氧预处理对脊髓神经元氧化损伤的影响。 方法：取胚胎小鼠脊髓做神经元原代培养，分正常对照组、高压氧预处理组(0.35MPa、2h)和H2O2处理组(50μM、37℃、1h)。通过形态学观察、MTT和单细胞凝胶电泳等试验方法观察H2O2处理所导致的神经元DNA损伤以及高压氧预处理对这种DNA损伤的影响。 结果：H2O2处理组细胞活性明显下降(P<0.01)，细胞DNA尾矩与对照组相比明显增加。单次高压氧暴露后，高压氧预处理组与H2O2处理组相比，细胞活性从预处理后4h开始明显增高。细胞DNA尾矩也从预处理后4h开始显著减少并持续到预处理后24h。 结论：H2O2处理导致脊髓神经元出现氧化损伤。高压氧预处理对H2O2诱导的脊髓神经元氧化损伤具有保护作用，这种保护作用至少能持续到预处理后24h。
高压氧预处理 脊髓神经元 氧化损伤 原代培养 动物实验
任杰 李青波 李金声
第四军医大学航空航天医学系卫生与卫生勤务学教研室
国内会议
北京
中文
244-245
2009-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）