蒙卡方法与有限体积法相结合模拟半导体器件的γ剂量率辐射响应
本文采用蒙卡方法与器件模拟的有限体积法相结合的方法，在自主开发的二维半导体器件模拟程序GSS的基础上，加入粒子输运模块和辐射效应模拟模块，使之具备模拟半导体器件γ剂量率辐射效应的能力，实现了从粒子输运到器件辐射效应的一体化模拟。本文计算分析了N+P结与N+PP+结在100ns矩形γ射线脉冲辐照下的瞬态响应，并与实验数据和Enlow光电流理论模型进行了比对，结果符合较好。给出了N+PP+结构中光电流与剂量率的对应关系。该方法为器件γ剂量率辐射效应的模拟计算提供了一种新的途径。
半导体器件 γ剂量率 辐射响应 数值模拟 蒙特卡罗方法
韦源 贡顶 牛胜利 黄流兴
西北核技术研究所 陕西 西安 710024
国内会议
成都
中文
40-46
2009-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）