D-T中子源中子产额测量的反冲质子望远镜系统的模拟研究
为了设计用于监测D-T中子产额的反冲质子望远镜系统,采用MCNPX程序模拟了14MeV中子在不同厚度的聚乙烯膜上产生的反冲质子的产额、能谱及角分布。通过对反冲质子的产额、能谱和角分布数据的分析。给出了用于D-T中子产额监测的反冲质子望远镜系统的聚乙烯膜最佳厚度和探测器放置位置。A
D-T中子发生器 中子产额测量 反冲质子望远镜系统 聚乙烯膜 MCNP程序 探测器
杜洪新 姚泽恩 胡继峰 金孙均 梁一
兰州大学核科学与技术学院,兰州 730000
国内会议
成都
中文
284-289
2009-05-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)