质子栅氧化层位移损伤理论计算

摘要：

基于蒙卡软件Geant4，选择和添加原子碰撞物理过程，设置模型中的参数，模拟输运粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算1Mev质子不同厚度二氧化硅层的空位分布、空位总数，以及不同厚度二氧化硅层的非电离能量沉积和电离能量沉积，通过计算发现，空间质子位移损伤对器件栅氧不会造成致命的损害。

关键词： 质子 栅氧化层 位移损伤 空位分布 非电离能量沉积 Geant4软件

作者: 王园明 陈伟

作者单位: 西北核技术研究所 西安 710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国蒙特卡罗方法及其应用学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 362-366

在线出版日期: 2009-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）