采用SiC反并二极管的逆变器性能研究

摘要：

本文将富士公司带SiC反并二极管的IGBT模块，应用于一台1.5kW，20kHz半桥逆变器上。测试了逆变器开关波形、开关损耗和整机效率。通过和相同条件下普通Si反并二极管模块的实验结果进行对比，给出了采用SiC反并二极管的逆变器性能特点。

关键词： SiC二极管 逆变器 IGBT模块

作者: 马柯 Seiki Igarashi 徐德鸿

作者单位: 浙江大学电气工程学院,杭州 310027 富士电机电子技术株式会社,日本东京141-0032

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电源学会第18届全国电源技术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 1-3

在线出版日期: 2009-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）