“薄基区-缓冲层-透明阳极”RSD结构机理仿真研究
研究大功率半导体开关RSD的一种“薄基区-缓冲层-透明阳极”新结构的特点、原理以及对阻断和导通特性的影响。利用工艺软件Silvaco TCAD对新结构进行仿真,模拟得到新结构在比传统结构片厚减小75μm的情况下还能够得到更高的阻断电压,在导通特性中透明阳极浓度从1×1020cm-3下降剑1×1018cm-3时,导通压降减小。从而说明新结构改进了RSD的阻断和导通特性。
RSD结构 阻断特性 导通特性 反向开关晶体管
黄朝 余岳辉 梁淋 尚超
华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074
国内会议
厦门
中文
16-18
2009-11-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)