早期IGBT的基本性能分析
早期的IGBT在应用时存在很多问题，甚至导致无缘无故的烧毁，本文根据早期IGBT的特性分析了反并联二极管的反向恢复特性对IGBT的开通过程的影响、双极晶体管部分和MOSFET分配不合理是早期IGBT开通和关断过程烧毁的另一因素；栅极体电阻的过大将导致IGBT开关过程中导致开通或关断电流过度集中而导致IGBT的烧毁。通过限制IGBT的开关速度可以消除早期IGBT的上述无故烧毁的现象，但需要付出开关速度慢和开关损耗大的代价。
双极型晶体管 性能分析 反并联二极管 开关速度 开关损耗
陈永真
辽宁工业大学,锦州 121001
国内会议
厦门
中文
411-412
2009-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）