靶距对h-BN薄膜结构特性的影响
h-BN具有高声波传输速率和优良的透光性，具有压电效应，可作为SAW器件中合适的压电薄膜。本文采用射频磁控溅射工艺，通过调整靶距(固定其它工艺参数)来沉积压电性能优异的h—BN薄膜，从而制备优质的SAW器件。并利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)来分析研究其结构特性。当靶距为6cm时，在p—Si(100)衬底上可沉积到优质h—BN薄膜，其表面光滑致密，颗粒较大，颗粒大小均匀，而且在780cm-1附近出现非常明显的吸收峰。
氮化硼薄膜 靶距 磁控溅射 SAW器件
薛玉明 杨保和 曲长庆 汪金文 韩睿琦
天津理工大学,天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津 300191
国内会议
天津
中文
256-258
2009-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）