三角形微腔对nc-Ge/Si岛发光增强的数值模拟与分析
本文利用光子晶体三角形缺陷腔来提高nc-Ge/Si纳米岛发光效率，通过有效折射率近似和FDTD方法，模拟计算了平板厚度为300nm时，三角微腔的谐振波长随r/a变化的趋势，即在a、h-定时，随着r/a的增大，光子晶体的禁带宽度增加，三角微腔的谐振频率向短波长方向移动，并且微腔中的谐振模式也随之增加。计算三角形缺陷腔谐振模式的有效模式体积，对于特定的谐振频率，它的有效模式体积是L3型微腔的有效模式体积的二分之一，自发辐射增强因子Fp提高一倍。
晶体滤波器 三角形微腔 谐振频率 光子晶体 nc-Ge／Si岛
张家顺 吴远大 胡雄伟
中国科学院半导体研究所 光电研发中心,北京 100083
国内会议
天津
中文
265-267
2009-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）