闪锌矿BxAl1-xAs合金的LP-MOCVD生长研究
本文利用LP-MOCVD生长工艺并采用三乙基硼源(TEB)在GaAs(001)衬底上生长BxAl1-xAs外延层，实验中生成了B并入比为0.4％-4.4％的一系列BxAl1-xAs样品。结果表明最优生长温度为580℃，当生长温度Tg升高或降低时，BxAl1-xAs中B并入比都会下降，特别是生长温度降低时，BxAl1-xAs中B并入比下降更为显著;在最优生长温度580℃下，B并入比随着TEB摩尔流量的升高由0.4％逐阶梯升高，当B并入比超过临界值2.1％时，原子力显微镜(AFM)测试表面粗糙度从2.469nm增大到B并入比为4.4％时的29.086nm，说明过临界值晶体质量已经逐渐恶化，甚至严重到不以单晶形式存在，而是以BAs、AlAs混合多晶的形式存在。
三乙基硼 晶体生长 低压金属有机化学气相沉积 X射线衍射 BxAl1-xAs合金
李佳健 王琦 张霞 杨跃 任晓敏 黄永清
北京邮电大学 信息光子学与光通信教育部重点实验室 北京 100876
国内会议
天津
中文
281-283
2009-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）