单片集成电吸收调制分布反馈激光器

摘要：

简化工艺、降低制作成本和提高整体特性是光电子功能集成器件的追求目标和发展方向。本文介绍了一种选择区域外延双有源区叠层结构(SAG-DSAL)新技术，以此技术设计研制了单片集成电吸收调制分布反馈激光器(EML)，SAG-DSAL—EML管芯器件的阈值电流为20mA，工作电流为100mA时的出光功率为10mW，调制器加-3V偏压时的消光比为12dB。结果实现了简化制作工艺并提高器件性能的预期目的，有望用于规模化生产。

关键词： 光电集成器件 反馈激光器 电吸收调制 选择区域生长 双有源区叠层结构

作者: 朱洪亮 梁松 李宝霞 赵玲娟 王宝军 边静 许晓冬 朱小宁 王圩

作者单位: 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京912信箱,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第14次光纤通信暨第15届集成光学学术会议

会议地点: 天津

会议语种:中文

页码: 316-318

在线出版日期: 2009-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）