快恢复二极管发展与现状

摘要：

本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管(FRD)的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD所需的硬件条件。

关键词： 功率半导体 快恢复二极管 反向恢复 电力电子器件

作者: 张斌

作者单位: 清华大学电力电子厂

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 51-56

在线出版日期: 2009-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）