功率MOSFET的研究与发展

摘要：

功率MOSFET一直沿着结构优化、创新结构和宽禁带半导体材料三个方向发展，本文详细介绍了功率MOSFET的结构优化进程，分析介绍Super Junction结构、宽禁带半导体材料。

关键词： 宽禁带半导体材料 结构优化 金属氧化物 半导体场效应晶体管

作者: 张波

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 60-63

在线出版日期: 2009-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）