一种积累层沟道TIGBT的特性其正向压降模型的建立

摘要：

本文分析了一种具有积累层沟道的TIGBT结构，它具有更低的正向导通压降，更大的闩锁电流密度和更宽正向安全工作区(FBSOA)。文章对其工作机理及相关特性进行了阐述及仿真分析，并根据其载流子浓度分布和电流连续性方程建立了具有缓冲层结构的积累层沟道TIGBT的正向压降数学模型，推导了其正向压降的解析表达式。

关键词： 绝缘栅双极晶体管 积累层沟道 正向压降模型 闩锁电流密度 正向安全工作区 载流子浓度 数学模型

作者: 洪辛 钱梦亮 李泽宏 张波

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 166-169

在线出版日期: 2009-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）