寄生P-well对VDMOS器件耐压参数的影响

摘要：

本文介绍了VDMOS器件工艺流程中产生的一种常见的寄生结构--划片槽中的寄生P-well，并以200V VDMOs器件为例，通过器件模拟验证寄生P-well对VDMOs器件耐压参数BDVss的影响关系，同时也验证了Guard Ring区域场板长度与器件耐压参数BVDSS之间的关系。最终通过试验验证和理论分析，检验了器件模拟结果的正确性，并提出了解决寄生P-well结构对器件BVDSS参数影响的方法。

关键词： 垂直扩散金属氧化物半导体 划片槽 耐压参数 寄生结构

作者: 邓小社 胡兴正

作者单位: 华润上华科技有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 194-196

在线出版日期: 2009-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）