锂吸附对于碳纳米管功函数的影响

摘要：

本文利用第一性原理计算的方法研究了锂原子吸附对于完整的和点缺陷的带帽(5，5)单壁碳纳米管功函数和电子结构的影响。锂原子吸附在无缺陷的碳纳米管的顶端后，碳纳米管由半导体性转变为金属性，功函数从4.20 eV降低到了3.34eV，同时碳纳米管的侧壁功函数从4.28 eV降低到了3.40eV。锂原子吸附在缺陷的碳纳米管的顶端后功函数同样降低。功函数变化的原因主要在于锂原子吸附所造成的电荷的重新分布和费米能级的提高。

关键词： 纳米材料 碳纳米管 锂吸附 功函数

作者: 徐顺福 元光

作者单位: 中国海洋大学物理系,青岛市松岭路238号,266100 青岛

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 819-822

在线出版日期: 2009-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）