Hf栅极初始栅发射的研究

摘要：

栅发射在栅控行波管中是较为普遍的现象，为了降低栅发射通常采用高逸出功金属作为栅极或在栅极表面沉积高逸出功物质或沉积能与蒸散到栅极上的活性物质反应形成高逸出功化合物的金属。本文直接采用纯金属Hf作为栅极，与普通Mo栅极对比，研究了Hf栅极在模拟电子管中管子烘排后、阴极激活后及初始寿命中的栅发射情况。实验证明：在初始栅发射过程中，纯Hf栅极具有较小的栅发射电流。

关键词： Hf栅极 栅发射电流 栅控行波管 栅极表面沉积

作者: 赵青兰 王小霞 廖显恒 李云

作者单位: 中国科学院电子学研究所,北京,100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 360-363

在线出版日期: 2009-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）