厚膜银导体银离子迁移的试验设计

摘要：

本文主要介绍了厚膜银导体上银离子迁移的试验方法、考核条件,通过试验发现,在660V/mm直流电场强度下,通过更换基片材料和介质材料,可有效抑制银离子的迁移,提高电路的可靠性,同时发现,在实际厚膜混合电路中,银离子迁移更多的是一种表面界面现象,与材料的表面界面性能关系密切。

关键词： 银离子迁移 厚膜银导体 电路可靠性 材料性能

作者: 董永平

作者单位: 华东微电子技术研究所,合肥 230022

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国混合集成电路学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 253-255

在线出版日期: 2009-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）