SRAM的电磁脉冲效应实验研究

摘要：

实验研究了不同脉冲宽度下静态随机存储器SRAM的电磁脉冲效应,重点研究不同存储器容量、存储器读写状态与否等情况下的效应规律,实验场强在2.5至40千伏/米之间.实验结果表明,存储器的翻转效应与存储容量大小、激励电磁脉冲的脉冲宽度关系不大,电磁脉冲的场强幅值是其主要的敏感参数.此外,存储器处于读写状态即片选有效时其效应更为严重.

关键词： 随机存储器 电磁脉冲 翻转效应 脉冲宽度 存储容量 场强幅值

作者: 韩军 谢彦召 翟爱斌 姚志斌

作者单位: 西北核技术研究所,西安,710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国核仪器及其应用学术会议暨全国第五届核反应堆用核仪器学术会议

会议地点: 西宁

会议语种:中文

页码: 46-49

在线出版日期: 2009-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）