铁电存储器总剂量辐射效应初探

摘要：

存储器作为电子系统必不可少的重要组成部分，是电子系统程存储和数据存储的主要载体，本文主要对新型存储器铁电存储器(FRAM)总剂量电离辐射效应进行了初步研究，并与目前应用较多的典型半导体存储器辐射效应进行了比较，获得了FRAM比传统半导体存储器具有更好抗总剂量辐射能力的结果。

关键词： 铁电存储器 辐射效应 电子系统

作者: 牛振红 崔帅 张力 刘生东 刘洪艳

作者单位: 试验物理与计算数学实验室 北京 100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 47-51

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）