两种改进边缘效应的全耗尽MOSFET器件的制备及对辐射的影响

摘要：

采用硅岛隔离和经过辐照过的LOCOS隔离制备的SOIMOSFET器件通常都会出现边缘效应，即会出现亚阈值斜率的“隆起”(HUMP)效应.针对产生边缘效应产生的不同原因，我们分别采取了圆角化工艺和类BTS结构来改进辐照前后的MOSFET器件，试验证明，这些改进减小甚至消除了边缘效应的产生，成功制各了合乎要求的器件。

关键词： 边缘效应 硅岛隔离 圆角化工艺 辐射效应 亚阈值斜率 金属氧化物半导体 场效应晶体管

作者: 王宁娟 刘忠立 李宁 刘芳 李国花

作者单位: 中科院半导体研究所 北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 59-62

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）