超深亚微米SRAM和Flash存储器的辐射效应

摘要：

针对超深亚微米器件航天应用日益增多的情况，以超深亚微米SRAM和Flash存储器为对象，分析了超深亚微米器件的辐射效应规律特点。超深亚微米器件一般具有天然抗总剂量辐射能力，但若接口电路工作也压或编程电压高，则辐射敏感；超深亚微米器件由于特征尺寸减少，单粒子效应敏感，核反应町导致单粒予事件，另外，已有的单粒子预计模型已不完全适用。

关键词： 深亚微米器件 辐射效应 存储器 抗总剂量辐射能力 单粒子预计模型 核反应町

作者: 唐民

作者单位: 中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心 北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 78-81

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）