54HC04稳态与脉冲伽马总剂量辐射效应异同性研究

摘要：

本文以54HC04为研究对象，进行了稳态与脉冲γ总剂量辐照效应试验，研究了稳态与脉冲γ总剂量电离辐射效应，重点对稳态和脉冲γ总剂量辐射效应进行了比较研究.通过稳态和脉冲γ总剂量辐照后阈电压(VTH)及漏电流(IDs)参数的退化研究，获得了稳态与脉冲辐照时辐射损伤的相关性，获得了等剂量辐照后，脉冲γ辐射损伤弱于稳态Y辐射损伤的结果。在此基础上分析讨论了稳态与脉冲总剂量辐照损伤机理.

关键词： 电离辐射 脉冲总剂量 辐照后阈电压 漏电流参数 辐照损伤机理 金属氧化物半导体器件

作者: 牛振红 崔帅 张力

作者单位: 试验物理与计算数学实验室，北京100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 82-85

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）