SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究

摘要：

本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不同源程序所需的模块不同，并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系，详细探讨了不同模块随总剂量、退火时间的变化关系。同时，分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因，并讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异.最后，测量了输出端口的高低电平，分析高低电平随总剂量、退火时间的变化关系.

关键词： 60Coγ总剂量 辐射损伤 退火效应 FPGA器件

作者: 高博 余学峰 任迪远 王义元 李鹏伟 于跃 李茂顺 崔江维

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所 新疆 乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院 北京100049 中国科学院新疆理化技术研究所 新疆 乌鲁木齐830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 91-96

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）