CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较

摘要：

本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验，比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性，对其响应差异进行了较深入的机理研究，并由此探讨了54HC电路的抗辐射能力测试方法和评判标准.

关键词： 互补金属氧化物半导体 总剂量辐射 漏电流 响应特性 抗辐射能力

作者: 王改丽 余学峰 任迪远 郑玉展 孙静 文林 高博 李茂顺 崔江维

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所 新疆 乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院 北京 10080 中国科学院新疆理化技术研究所 新疆 乌鲁木齐830011 新疆大学物理学院 新疆 乌鲁木齐830046

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 112-116

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）