256K PROM电路技术研究

摘要：

本文介绍了一种以非晶硅反熔丝为介质的PROM电路，包括存储单元和外围主要电路(译码电路，读写电路等)。它是一种大容量，高密度的存储器件。反熔丝存储单元及读写电路结构是该电路最基础，最重要的部分.

关键词： 可编程式唯读记忆体 非晶硅反熔丝 存储单元 外围电路 读写电路

作者: 周霁 孙武山

作者单位: 中国电子科技集团公司第四十七研究所 辽宁 沈阳

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 117-123

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）