两种典型电子元器件的中子辐照损伤分布研究

摘要：

本文研究了两种典型的电子元器件：晶体管和三端稳压器在中子辐照下不同中子注量的敏感参数的分布变化.结果表明，中子辐照下晶体管的直流放大倍数的分布可以用对数正态分布得到很好的拟合；而三端稳压器的输出电压的分布在辐照前可以用正态分布拟合，辐照前期可以用威布尔分布拟合，最后四种常见的分布都不能得到很好地拟合。

关键词： 中子辐照 敏感参数分布 威布尔分布 对数正态分布 电子元器件

作者: 白小燕 林东生 陈伟 郭晓强 王桂珍 杨善潮 李瑞宾 刘岩 金晓明

作者单位: 西北核技术研究所 陕西 西安710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 124-129

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）