光电耦合器辐射效应研究

摘要：

选取了一种典型的光电耦合器4n25进行了1MeV高能电子及Co60γ辐照试验，获得了1MeV电子及CoH60 γ辐照后光电耦合器4n25 CTR参数的退化与粒子的通量的关系，通过辐射对器件及材料作用过程的分析，探讨了光电耦合器位移损伤效应及电离辐射效应。

关键词： 光电耦合器 位移损伤 辐射效应 电离辐射效应 损伤效应

作者: 冯展祖 杨生胜 王云飞 高欣 王健

作者单位: 兰州物理研究所真空低温技术与物理国家级重点实验室 甘肃 兰州730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 130-133

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）