典型光电器件总剂量辐照效应试验研究

摘要：

对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行60Coγ射线辐照试验，分析了光电器件在γ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应，对辐照损伤现象及损伤机理进行分析和探讨.

关键词： 总剂量效应 光电器件 氧化物陷阱电荷 界面态陷阱电荷 红外发光二极管 损伤机理

作者: 吾勤之 许导进 刘伟鑫 于跃 郭旗 孙静

作者单位: 中国航天科技集团公司八院第八○八研究所 上海200191 中国科学院新疆理化技术研究所 新疆 乌鲁木齐830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 134-138

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）