用Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管表征SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力

摘要：

本文采用注硅的方法加固SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料，分别用加固和未加固的材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管并进行了10kevX射线总剂量辐照实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOX材料的抗总剂量辐射能力，同时也表明Pseudo-MOS方法能有效的替代实际的MOS晶体管对材料的总剂量辐射效应进行表征.

关键词： 总剂量辐射效应 晶体管 注氧隔离 绝缘体上硅 加固工艺 注硅加固材料

作者: 毕大炜 张正选 张帅 俞文杰 陈明

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 139-141

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）