基于0.1μm PDSOI工艺的射频MOS器件电离总剂量辐照效应研究
研制了一种与0.1μmSOICMOS工艺兼容的射频PDSOINMOSFET，并分析了电离总剂量辐照对四种不同结构射频器件的静态特性和频率特性的影响，分别包括前/背栅阈值、泄漏电流、跨导，输出特性以及交流小信号电流增益和最大有效/稳定增益。实验表明，在室温环境下经过总剂量为1Mrad(Si)的γ射线辐照，各射频PDSOI NMOSFET的静态和射频特性均表现出明显退化，其中以浮体NMOSFET变化最大。虽然损失了部分驱动电流、开关速度和高频特性，LBBC型体接触结构的射频器件仍表现出优于GBBC和BTS型体接触结构的射频器件的抗电离总剂量辐照的能力。
电离总剂量辐照 射频器件 总剂量辐照效应 静态特性 频率特性
刘梦新 刘刚 卜建辉 范雪梅 毕津顺 赵发展 韩郑生
中国科学院微电子研究所 北京 100029
国内会议
沈阳
中文
146-153
2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）