浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展

摘要：

本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论，主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出：总剂量辐射效应对浮栅存储器的影响主要是在隧道氧化层、栅之间的绝缘层中产生电荷，引起浮栅上电荷的变化。

关键词： 控制电路 存储单元 总剂量辐射效应 电荷损失 浮栅存储器

作者: 刘张李 张正选 毕大炜 张帅 田浩 俞文杰 陈明 王茹

作者单位: 中国科学院研究生院,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 154-159

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）