SOI器件总剂量辐射效应研究进展

摘要：

绝缘体上的硅(Silicon on Insulator，SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构，成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在，使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中总剂量效应的产生机理以及对器件功能的影响，并从制作工艺、器件结构、偏置状态、尺寸缩小和加固措施等方面来回顾国际上的研究进展.

关键词： 绝缘体上硅 总剂量辐射效应 全介质隔离 抗辐射集成电路 埋氧化层

作者: 俞文杰 张正选 田浩 王茹 毕大伟 陈明 张帅 刘张李

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 165-172

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）