CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应

摘要：

基于线阵商用CCD器件，开展了60Coγ射线不同剂量率的辐照实验和室温退火研究。分别考察了CCD的功耗电流、复位电压，光响应灵敏度和电荷转移效率等参数的变化。结果表明所测量的CCD参数随γ总剂量增加而逐渐衰退，高剂量率辐照下的器件损伤效应明显高于低剂量率的器件。室温退火发现高剂量率辐照后CCD的不同参数恢复到与低剂量率辐照接近的水平，表明辐射感生氧化物电荷是导致不同剂量率效应差异的主要原因。

关键词： 氧化物电荷 时间相关效应 辐射损伤 剂量率效应 光响应灵敏度 电荷耦合器件

作者: 李鹏伟 郭旗 任迪远 于跃 王义元 高博

作者单位: 中科院新疆理化技术研究所 新疆 乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院 北京100083 中科院新疆理化技术研究所 新疆 乌鲁木齐830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 178-186

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）