不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性

摘要：

影响NPN晶体管辐射损伤的因素有很多，如晶体管工艺，剂量率以及辐照偏置等。本文主要研究了三种发射极面积的国产NPN晶体管高低剂量率下的辐射损伤特性，分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明国产NPN晶体管具有低剂量率辐照损伤敏感性增强效应，且发现小电流注入下晶体管辐射损伤会表现得愈加显著。比较三种发射极尺寸晶体管辐照响应，发现发射极周长面积比(P/A)越大时晶体管归一化过剩基极电流(△IB//BO)也越大。文中详细阐述了NPN晶体管辐射损伤机制，从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对NPN晶体管的加固保证方法进行了探索.

关键词： 发射极面积 晶体管 剂量率 辐射损伤

作者: 郑玉展 陆妩 任迪远 王义元 郭旗 余学锋 何承发

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所 新疆 乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院 北京100049 中国科学院新疆理化技术研究所 新疆 乌鲁木齐830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 191-197

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）