ONO反熔丝FPGA抗龟离辐照性能研究

摘要：

描述了在受到电离辐照时，ONO薄膜内部电子一空穴的运动规律。采用蒙特卡罗方法，计算了不同能量光子辐照下，ONO反熔丝介质内部的能量沉积和电荷累积，并推算了由此产生的界面电场强度以及阈值电压的漂移。采用反熔丝FPGA芯片A1460A设计延时电路，进行了钴源电离辐照试验。模拟计算和辐照试验的结果都说明了0NO反熔丝结构的FPGA具有较好的抗电离总剂量辐照的性能。

关键词： 现场可编程门阵列 电离辐照 蒙特卡罗 电子-空穴对 界面电场强度 剂量辐照

作者: 杜川华 詹峻岭

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 198-202

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）