反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨

摘要：

本文分析了反熔丝FPGA器件工艺结构及其γ剂量率辐射效应机理，给出了几种反熔丝FPGA器件的γ剂量率辐照效应试验结果。试验结果表明，反熔丝FPGA器件γ剂量率失效主要是瞬时光电流扰动引起的，而全部样品对于γ瞬时扰动效应都是脆弱的。因此，通过器件选择获得具有抗高γ剂量率加固特性的FPGA器件比较困难.

关键词： 反熔丝 γ剂量率 辐射效应 现场可编程门阵列 加固特性 瞬时扰动效应

作者: 赵洪超 朱小锋 杜川华 袁国火

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 209-213

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）