VDMOS器件单粒子加固技术研究

摘要：

本文主要结合功率VDMOS器件单粒子效应的损伤机理，进行了VDMOS器件结构和工艺技术的加固研究，研制出了加固样品，并通过地面模拟试验源的辐照试验，对样品进行了单粒子效应敏感度测试评估。试验结果表明，经加固的器件样品其抗单粒子效应能力有了明显提高.

关键词： 单粒子烧毁 单粒子栅穿 复合栅工艺 辐照模拟 金属氧化物半导体器件 损伤机理

作者: 王小荷 黄玉文 耿增建

作者单位: 西安微电子技术研究所 陕西 西安710054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 217-222

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）