8K×8 SOI SRAM单粒子效应实验研究

摘要：

在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上对中国科学院微电子研究所的8K×8SOI SRAM进行了单粒子效应实验。数据由存储器辐射效应测试系统进行收集并存储，并与国外IDT7164陶瓷封装体硅器件进行了对比。实验结果表明，中科院微电子所的8K×8 SOI SRAM的单粒子翻转LET阈值为84 MeV.cm2/mg左右，饱和翻转截面为2×10-8cm2/bit，抗单粒子翻转性能优于IDT7164。

关键词： 绝缘体上硅 单粒子效应 静态随机存储器 辐射效应 陶瓷封装 翻转性能

作者: 赵发展 郭天雷 刘刚 海潮和 韩郑生 贺朝会 李永宏

作者单位: 中国科学院微电子研究所 北京100029 西安交通大学 西安710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 228-235

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）