GEO及SSO轨道单粒子效应对比分析

摘要：

本文对GEO及SSO轨道上引发微电子器件单粒子效应的高能粒子环境进行分析，并以一种典型器件为例，对其在GEO和SSO上的单粒子翻转率分别进行了预示.结果表明同一种器件在GEO上由银河宇宙线和太阳宇宙线引起的单粒子效应要略高于SSO，但由地球辐射带捕获质子造成的单粒子效应却远远小于SSO。同一器件在GEO和SSO上应用时，需针对轨道上各自的环境特点考虑单粒子效应防护设计.

关键词： 单粒子效应 微电子器件 防护设计

作者: 蔡震波

作者单位: 中国航天科技集团公司五院总体部 北京100094

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 236-241

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）