SRAM存储器单粒子效应试验研究

摘要：

本文介绍了SRAM存储器单粒子翻转效应测试方法，探讨了SRAM存储器在重离子辐照下单粒子翻转现象，通过分段数值模拟计算方法得出了σhl重离子翻转饱和截面和LET(025)，值的试验结果，这些结果对器件抗辐射加固评估技术研究有重要价值。

关键词： 单粒子效应 逻辑状态翻转 抗辐射加固 重离子辐照 静态随机存取存储器

作者: 吾勤之 许导进 王晨 刘刚 蔡小五 韩郑生

作者单位: 中国航天科技集团公司八院第八○八研究所 上海200191 中国科学院微电子研究所 北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 261-265

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）