典型电子系统中子辐射性能的指数裕度法评估

摘要：

应用指数裕度法对典型电子系统进行了中子辐射性能试验评估。结果表明，当只考虑最薄弱环节时，生存概率为0.9564；而考虑较敏感的三个单元时，系统生存概率为0.8905，比0.9564有所下降，评估结果是可信的；当增加不敏感器件进行四单元评估时，系统生存概率反而增加到0.9772，评估结论不符合实际情况。这说明，指数裕度法适合评估敏感器件构成的系统，而非敏感器件必须排除在外，否则可能会影响评估结果，甚至给出错误的结论。

关键词： 中子辐射性能 指数裕度法 生存概率 电子系统 敏感器件

作者: 许献国 朱小锋 余彦胤

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 296-300

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）