集成电路的辐射能力小子样评估技术

摘要：

本文在对典型集成电路80C196KC20的总剂量试验数据分析的基础上，对其总剂量损伤分布和损伤特征进行了研究，运用Bayes原理对试验数据进行分析，研究发现，集成电路80C196KC20的总剂量损伤分布服从正态分布，运用bayes方法可提高评估精度、减少评估费用.

关键词： 电子器件 辐射能力 小子样评估 损伤特征

作者: 崔帅 牛振红 张力

作者单位: 试验物理与计算数学实验室 北京 100076 北京临近空间飞行器系统工程研究所 试验物理与计算数学实验室 北京 100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 310-315

在线出版日期: 2009-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）