微/纳米ZnO薄膜的压电行为研究
利用压电力显微镜(PFM)研究了ZnO薄膜的压电系数d11。ZnO薄膜是根据化学浸蘸技术从锌酸铵溶液沉积得到。利用SEM与XRD进行了结构分析表明这种多晶ZnO薄膜具有c轴择优取向。ZnO薄膜的有效压电系数是有厚度依赖性并且变化范围为:15.1-51.9pM/v,它比单晶的(12.4pm/v)要大很多.认为这种行为主要是由断层导致的。
ZnO薄膜 纳米ZnO 压电行为 化学浸蘸 c轴择优取向
张克明 刘冬青
北京科技大学数学与力学系, 100083
国内会议
北京
中文
188-189
2007-01-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)