Dy掺杂α-SiAlON陶瓷的透明机理研究

摘要：

本文通过第一性原理计算研究了Dy掺杂α-SiAlON透明机理。Dy掺杂的透明α-SiAlON陶瓷，是利用热压烧结法制备的，样品在1.5-5.0μm光谱范围内获得高于70％的透过率。其中计算结果显示：由于掺杂的Dy原子的价电子与α-SiAlON价带顶附近的掺杂能级相互作用，导致α-SiAlON光学带隙从0.4 eV增加到1.1 eV，由此抑止波长大于1.0μm的光子的吸收。计算结果与实验结果一致。

关键词： α-SiAlON陶瓷 掺杂改性 透明机理 光学带隙

作者: 钟红梅 刘茜 江俊 赫伟 归林华

作者单位: 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050 瑞典皇家工学院生物技术学院理论化学系,斯德哥尔摩,S-10691 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050 中国科学院研究生院,北京,100039

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国空间科学学会空间材料专业委员会2009学术交流会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 63-65

在线出版日期: 2009-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）