MCVD工艺原位制备SiCf/Cf/C/Al2O3复合材料

摘要：

采用微波化学气相沉积工艺(MCVD)，以掺二氧化硅的多孔氧化铝为基体，以甲烷为碳源，在甲烷浓度为0.25，基体温度分别为1 100～1150℃的工艺条件下。原位生长气相纤维，并进一步致密，探索气相原位生长制得纤维增强复合材料的可能性。结果表明：通过微波化学气相沉积工艺可以制得气相生长SiC纤维并进一步诱导生长炭纤维，SiC纤维成六角形，外表面为层状生长的热解碳，成功实现了SiCf/Cf/C复合材料的气相原位生长制备，并进一步形成SiCf/Cf/C/Al2O3梯度复合材料。

关键词： 氧化铝 复合材料 碳化硅 微波化学气相沉积 原位生长 气相纤维

作者: 邹继兆 曾燮榕 黎晓华

作者单位: 深圳大学材料学院,深圳 518060 深圳市特种功能材料重点实验室,深圳 518060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国新型炭材料学术研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 376-379

在线出版日期: 2009-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）