空气氧化选择性刻蚀金属性单壁碳纳米管

摘要：

我们报道一种简单有效选择性刻蚀金属性单壁碳纳米管的方法。该方法为在空气中高温氧化浮动催化化学气相沉积法制备的单壁碳纳米管薄膜。经氧化处理后，金属性和小直径的单壁碳纳米管基本被刻蚀掉，剩余产物为直径大于1.3 nm的半导体性单壁碳纳米管。这种尺度的半导体性单壁碳纳米管适用于构建纳米电子器件。

关键词： 单壁碳纳米管 选择性刻蚀 空气氧化 化学气相沉积法 纳米电子器件

作者: 于冰 侯鹏翔 刘畅 成会明

作者单位: 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 沈阳 110016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国新型炭材料学术研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 453-455

在线出版日期: 2009-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）