MOCVD技术在中国
金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在80年代外国对中国禁运，中国真正有自己制造的MOCVD设备应该是1986年算起，1986年，当时的中国科学院上海冶金所，在彭瑞伍先生的组织下，制造了中国第一台真正的MOCVD设备。随后几年间中科院长春物理所，中科院西安光机所等也先后研制成了MOCVD设备。现在看来当时制造的几台MOCVD设备是比较简单的，功能不完善，生长面积也很小。尽管如此，这是中国MOCVD设备的起步，当时中科院半导体所段树坤教授为中国引进了第一台外国制造的MOCVD设备(瑞典)，有这些设备为依托，在1989年中国召开了一届全国MOCVD学术会议，论文40余篇，十几家单位。此后中国的MOCVD科研工作者不断的在国内外会议和刊物上发表学术论文，也就是因为这些工作才打破了国际上对中国的技术封锁，开始向中国销售生长三五族化合物的MOCVD设备，与1993年德国AIXTRON的MOCVD进入中国。1999年中科院西安光机所研制的低压，气动旋转石墨衬底坐的MOCVD通过鉴定，那是卧式单片2英寸的设备。本文分析MOCVD设备的发展现状。
金属有机化学气相淀积 源材料 薄膜材料生长
高鸿楷
中国科学院西安光机所
国内会议
苏州
中文
13-15
2010-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）